11月29日，由中國科學院光電技術研究所研制“超分辨光刻裝備研制”?通過國家驗收該光刻機是國家重大科研裝備研制項目。光刻分辨力達到22納米，將來結合雙重曝光技術后，還可用于制造10納米級別的芯片。
光刻機是制造芯片的核心裝備，我國在這一領域長期落后。它采用類似照片沖印的技術，把設計母版上的精細電路設計圖，通過曝光的方式轉印至硅晶體片上。光刻機的分辨力越是高，硅晶芯片的集成度也越高。但是傳統的光刻技術受到“光學衍射”（光波遇到障礙物以后會或多或少地偏離幾何光學傳播定律的現象）效應的影響，很難進一步提高圖像的分辨力。
為獲得更高分辨力，目前普遍采用的技術是縮短光波，增加成像系統數值孔徑等技術路徑來提高光刻機的分辨率，但這項技術對設備要求較高，相關知識產權也在企業手中，購買相應設備的成本也較高。
我國此次研制的該光刻機是在365納米光源波長下，單次曝光最高的線寬分辨力可以達到22納米。該項目從原理上突破了分辨力衍射的較限。建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發新路線，并且繞過了相關知識產權的壁壘。
中科院光電所此次通過驗收的表面等離子體超分辨光刻裝備，打破了傳統路線格局，形成一條全新的納米光學光刻技術路線，具有不會自主知識產權，為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義芯片等變革性領域的跨越式發展提供了制造工具。
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