日前，“100G硅光收發芯片”正式投產使用，該產品由國家信息光電子創新中心，光迅科技公司，光纖通信技術和網絡國家重點實驗室、中國信息通信科技集團聯合研制成功。實現100G/200G全集成硅基相干光收發集成芯片和器件的量產。
硅材料便于芯片加工和封裝，并且來源豐富，成本低，機械性能、耐高溫能力非常好。借助CMOS工藝平臺實現硅光芯片的生產制造，可以有效解決我國高端光電子芯片制造能力薄弱等問題。但是，硅材料屬間接帶隙半導體材料，不存在線性電光效應和光電探測功能需要解決硅基光源加工和眾多光元件集成的問題和調制器加工和鍺硅外延生長的問題。加上硅光芯片對高端光器件的帶寬、集成度、性能、功耗、可靠性和成本等要求較高，使得多年來硅光芯片一直是我國光通信行業的一只攔路虎。此次工信部主導成立國家信息光電子創新中心，及時推動四家單位通力合作實現了100G硅光芯片的產業化商用，不僅展現出硅光技術優勢，也表明我國已經具備了硅光產品商用化設計的條件和基礎。我們十分期待未來幾年硅光技術在光通信系統中的大規模部署和應用，推動我國自主硅光芯片技術向超高速超大容量超長距離、高集成度、高性能、低功耗、高可靠方向發展。
圖：商用100G/200G硅基相干光收發(a)芯片和(b)器件；實測硅光器件的(c)?128Gb/s?PDM-QPSK和(d)?256Gb/s?PDM-16QAM光星座圖